Microchip Technology 2N1711S

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum DC Collector Current

500 mA

Pd - Power Dissipation

800 mW

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

2N1711

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N1711S

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.09

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

30 V