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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥274.611645
10
¥259.067592
100
¥244.403386
500
¥230.569234
1000
¥217.51814
Microchip Technology 2N2060L
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- 对比
2N2060L
1610-2N2060L
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-78-6
大陆
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Bipolar Transistors - BJT BJTs
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N2060L详情
Microchip Technology 2N2060L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-78-6
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-78-6
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
N
Mounting Styles
通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Base Product Number
2N2060
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N2060L
Package Shape
ROUND
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.1
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
2.12W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-78
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
60 V
2N2060L拓展信息
Microchip Technology
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