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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥228.584906
10
¥215.646137
100
¥203.439755
500
¥191.9243
1000
¥181.06066
Microchip Technology 2N2222AUA/TR
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- 对比
2N2222AUA/TR
1610-2N2222AUA/TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
4-SMD
大陆
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TRANS NPN 50V 0.8A 4SMD
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N2222AUA/TR详情
Microchip Technology 2N2222AUA/TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD
供应商器件包装
4-SMD
厂商
微芯片技术
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
800 mA
Transistor Polarity
NPN
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
30 at 500mA, 10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
100
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current
800 mA
DC Current Gain hFE Max
325 at 1 mA, 10 V
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
系列
2N2222
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
包装
切割胶带
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率耗散
500
功率 - 最大
650 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
50nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
75 V
连续集电极电流
800
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N2222AUA/TR拓展信息
Microchip Technology
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