Microchip Technology 2N2605

包装/外壳

TO-46-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-46-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Pd - Power Dissipation

400 mW

Maximum DC Collector Current

30 mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Transistor Polarity

PNP

Mounting Styles

通孔

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N2605

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-46, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

2N2605

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.11

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

400 mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

10nA

JEDEC-95代码

TO-206AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

60 V