Microchip Technology 2N2605UB

包装/外壳

TO-46-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Pd - Power Dissipation

400 mW

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

150

DC Current Gain hFE Max

450

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N2605

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CERAMIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N2605UB

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.26

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

400 mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 500µA, 5V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

30 mA

集电极-发射器电压-最大值

60 V