Microchip Technology 2N3419

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Emitter- Base Voltage VEBO

8 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Maximum DC Collector Current

3 A

Pd - Power Dissipation

1 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20 at 1 A, 2 V

DC Current Gain hFE Max

60 at 1 A, 2 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Base Product Number

2N3419

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3419

Turn-on Time-Max (ton)

300 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1300 ns

Risk Rank

5.12

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

3 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

5µA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

125 V

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

80 V

辐射硬化

无