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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1411.152393
10
¥1331.275847
100
¥1255.920609
500
¥1184.830762
1000
¥1117.764873
Microchip Technology 2N3440U4
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- 对比
2N3440U4
1610-2N3440U4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
U4-3
大陆
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Bipolar Transistors - BJT Power BJT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N3440U4详情
Microchip Technology 2N3440U4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
U4-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
U4
RoHS
N
Mounting Styles
SMD/SMT
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
250 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Maximum DC Collector Current
1 A
Pd - Power Dissipation
800 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
40
DC Current Gain hFE Max
160
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Package
Tray
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Base Product Number
2N3440
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N3440U4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.22
包装
Tray
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
Reach合规守则
compliant
配置
Single
功率 - 最大
5 W
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
最大集极截止电流
2µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 4mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
250 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
300 V
连续集电极电流
1 A
2N3440U4拓展信息
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