Microchip Technology 2N3467

包装/外壳

TO-39-3

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Transistor Polarity

PNP

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3467

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

175 MHz

Manufacturer Part Number

2N3467

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

90 ns

Risk Rank

5.15

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

功率耗散

5

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

100nA

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

转换频率

500

频率转换

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

5 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

40 V

辐射硬化

无