Microchip Technology 2N3492
- 收藏
- 对比
2N3492
1610-2N3492
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
大陆
立即发货

POWER BJT
1最小包装量--
2N3492详情
Microchip Technology 2N3492重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-61
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
7.5 A
Transistor Polarity
NPN
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
10 MHz
Manufacturer Part Number
2N3492
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Solitron Devices Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SOLITRON DEVICES INC
Risk Rank
5.5
系列
-
操作温度
-
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
115 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-61
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
117 W
集电极电流-最大值(IC)
7 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
1.5 V
环境耗散-最大值
115 W
2N3492拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。