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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥610.88589
10
¥576.307442
100
¥543.686266
500
¥512.911572
1000
¥483.878845
Microchip Technology 2N3500U4/TR
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- 对比
2N3500U4/TR
1610-2N3500U4/TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-SMD, No Lead
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TRANS NPN 150V 0.3A U4
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N3500U4/TR详情
Microchip Technology 2N3500U4/TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, No Lead
供应商器件包装
U4
厂商
微芯片技术
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
300 mA
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
15 at 300mA, 10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Maximum DC Collector Current
300 mA
DC Current Gain hFE Max
120 at 150 mA, 10 V
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
包装
Reel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率 - 最大
1 W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
50nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
150 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
150 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N3500U4/TR拓展信息
Microchip Technology
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