Microchip Technology 2N3506A

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Base Product Number

2N3506

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3506A

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

90 ns

Risk Rank

5.04

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA, 1V

最大集极截止电流

1µA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

5 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

25

集电极-发射器电压-最大值

40 V