Microchip Technology 2N3507AU4

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

U4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum DC Collector Current

3 A

Pd - Power Dissipation

1 W

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

35

DC Current Gain hFE Max

175

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Base Product Number

2N3507

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3507AU4

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

90 ns

Risk Rank

5.22

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/349

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍镀金

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CBCC-N3

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V

最大集极截止电流

1µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

3 A

集电极-发射器电压-最大值

50 V