对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | JEDEC-95代码 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值) | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 最大耗散功率(Abs) | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益(hFE) | 连续集电极电流 | 集电极-发射器电压-最大值 | 辐射硬化 | RoHS状态 | ||||||||||||||||||||
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2N3635L | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-39-3 | NO | TO-5 | 3 | SILICON | N | 通孔 | 1 | PNP | Bulk | 微芯片技术 | 1 A | 2N3635 | 活跃 | CYLINDRICAL | METAL | 未说明 | 200 °C | 无 | 2N3635L | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.08 | -65°C ~ 200°C (TJ) | Tray | - | e0 | 无 | EAR99 | 锡铅 | 8541.29.00.95 | BOTTOM | WIRE | 未说明 | unknown | O-MBCY-W3 | 不合格 | SINGLE | 1 W | AMPLIFIER | PNP | PNP | 100 @ 50mA, 10V | 10µA | TO-5 | 600mV @ 5mA, 50mA | 140 V | - | 5 W | 1 A | 60 | 1 | 140 V | |||||||||||||||||
2N3635L | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 通孔 | 通孔 | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | 3 | SILICON | 1W | 1 | -65°C~200°C TJ | Bulk | 2007 | e0 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 锡铅 | 8541.29.00.95 | BOTTOM | WIRE | SINGLE | 1W | AMPLIFIER | PNP | PNP | 140V | 1A | 100 @ 50mA 10V | 10μA | 600mV @ 5mA, 50mA | 140V | 无 | Non-RoHS Compliant |


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