注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥154.162171
10
¥145.436011
100
¥137.203785
500
¥129.437529
1000
¥122.110878
Microchip Technology 2N3737UB/TR
- 收藏
- 对比
2N3737UB/TR
1610-2N3737UB/TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-SMD, No Lead
大陆
立即发货

TRANS NPN 40V 1.5A UB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N3737UB/TR详情
Microchip Technology 2N3737UB/TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, No Lead
供应商器件包装
UB
厂商
微芯片技术
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
20 at 1 A, 1.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
900 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Maximum DC Collector Current
1.5 A
DC Current Gain hFE Max
150 at 500 mA, 1 V
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
包装
Reel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率 - 最大
500 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 1A, 1.5V
最大集极截止电流
10μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
900mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
75 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N3737UB/TR拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology






哦! 它是空的。