Microchip Technology 2N3751

包装/外壳

TO-111-4, Stud

安装类型

Stud Mount

底架

Stud

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

TO-111

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Product Status

活跃

Package

Bulk

Transistor Polarity

NPN

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Compliant

Package Description

TO-111/I, 4 PIN

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Manufacturer Part Number

2N3751

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SOLITRON DEVICES INC

Risk Rank

5.5

Part Package Code

TO-111

系列

-

操作温度

-

包装

Bulk

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

子类别

Transistors

最大功率耗散

30 W

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-MUPM-D4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

30 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

-

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

30 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

60 V

VCEsat-最大值

0.25 V

环境耗散-最大值

30 W

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无