注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥259.537192
10
¥244.846405
100
¥230.987173
500
¥217.912424
1000
¥205.577763
Microchip Technology 2N3775
- 收藏
- 对比
2N3775
1610-2N3775
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
大陆
立即发货

POWER BJT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N3775详情
Microchip Technology 2N3775重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-5AA
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Transistor Polarity
PNP
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
1 MHz
Manufacturer Part Number
2N3775
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SOLITRON DEVICES INC
Risk Rank
5.5
系列
-
操作温度
-
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
5 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-5
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
5 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
60 V
VCEsat-最大值
0.2 V
环境耗散-最大值
5 W
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N3775拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology






哦! 它是空的。