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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1907.4026
10
¥1799.436408
100
¥1697.58152
500
¥1601.491996
1000
¥1510.841506
Microchip Technology 2N3852
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- 对比
2N3852
1610-2N3852
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-210AA, TO-59-4, Stud
大陆
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POWER BJT
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¥
总价: ¥
2N3852详情
Microchip Technology 2N3852重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-210AA, TO-59-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-59
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
Transistor Polarity
NPN
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
175 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
60 MHz
Manufacturer Part Number
2N3852
Package Shape
ROUND
Manufacturer
API Technologies Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
API TECHNOLOGIES CORP
Risk Rank
5.5
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
30 W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-111
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200μA, 1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V
频率转换
20MHz
最大耗散功率(Abs)
30 W
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
40 V
VCEsat-最大值
0.5 V
2N3852拓展信息
Microchip Technology
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