Microchip Technology 2N3868U4

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

U4

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

35

DC Current Gain hFE Max

200

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率 - 最大

1 W

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V

最大集极截止电流

100µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

连续集电极电流

3 mA