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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4932.998021
10
¥4653.771718
100
¥4390.350677
500
¥4141.840262
1000
¥3907.396475
Microchip Technology 2N4210
- 收藏
- 对比
2N4210
1610-2N4210
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-211MB, TO-63-4, Stud
大陆
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SMALL-SIGNAL BJT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N4210详情
Microchip Technology 2N4210重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-211MB, TO-63-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-63
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Product Status
活跃
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Current-Collector (Ic) (Max)
20 A
Transistor Polarity
NPN
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
175 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
20 MHz
Manufacturer Part Number
2N4210
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
API TECHNOLOGIES CORP
Risk Rank
5.5
系列
-
操作温度
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
100 W
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-63
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
100 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
60 V
VCEsat-最大值
1 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N4210拓展信息
Microchip Technology
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