Microchip Technology 2N4998

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

TO-210AA, TO-59-4, Stud

底架

Stud

引脚数

3

供应商器件包装

TO-59

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Manufacturer Part Number

2N4998

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC

Risk Rank

5.77

系列

-

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

最大功率耗散

35 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MUPM-X3

极性

NPN

功率耗散

35 W

功率 - 最大

35 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

-

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

850mV @ 200μA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

2 A

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无