Microchip Technology 2N5151

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Maximum DC Collector Current

10 A

Pd - Power Dissipation

1 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30 at 2.5 A, 5 VDC

DC Current Gain hFE Max

90 at 2.5 A, 5 VDC

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N5151

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Package Description

HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

60 MHz

Manufacturer Part Number

2N5151

Turn-on Time-Max (ton)

1900 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1900 ns

Risk Rank

5.02

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

MIL-PRF-19500/545

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

11.8 W

发射极基极电压 (VEBO)

5.5 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

80 V