Microchip Technology 2N5151U3

包装/外壳

U-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

U3

RoHS

N

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum DC Collector Current

2 A

Pd - Power Dissipation

1.16 W

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

DC Current Gain hFE Max

90

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率 - 最大

1.16 W

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

连续集电极电流

2 A