Microchip Technology 2N5153U3

包装/外壳

SMD-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

U3

RoHS

N

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Pd - Power Dissipation

1.16 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50

DC Current Gain hFE Max

90

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5153U3

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.64

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

Reach合规守则

compliant

配置

Single

功率 - 最大

1.16 W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

100 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

70

连续集电极电流

2 A