Microchip Technology 2N5285
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2N5285
1610-2N5285
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-210AA, TO-59-4, Stud
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POWER BJT
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2N5285详情
Microchip Technology 2N5285重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-210AA, TO-59-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-59
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
Transistor Polarity
NPN
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
50 MHz
Manufacturer Part Number
2N5285
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Solitron Devices Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SOLITRON DEVICES INC
Risk Rank
5.5
系列
-
操作温度
-
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
50 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-59
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
50 W
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
70
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
0.75 V
环境耗散-最大值
58 W
2N5285拓展信息
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