Microchip Technology 2N5291
- 收藏
- 对比
2N5291
1610-2N5291
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
大陆
立即发货

POWER BJT
1最小包装量--
2N5291详情
Microchip Technology 2N5291重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
安装类型
Stud Mount
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-61
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
10 A
Product Status
活跃
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Transistor Polarity
PNP
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
175 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
40 MHz
Manufacturer Part Number
2N5291
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
API TECHNOLOGIES CORP
Risk Rank
5.5
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
116 W
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-61
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 1mA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
100 W
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益(hFE)
70
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
1.5 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N5291拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。