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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2241.991303
10
¥2115.08613
100
¥1995.364276
500
¥1882.419131
1000
¥1775.867099
Microchip Technology 2N5410
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- 对比
2N5410
1610-2N5410
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-111-4, Stud
大陆
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POWER BJT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N5410详情
Microchip Technology 2N5410重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-111-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-111
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Package Description
POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
40 MHz
Manufacturer Part Number
2N5410
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SEMELAB LTD
Risk Rank
5.33
Part Package Code
TO-111
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
52 W
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-111
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 200μA, 2mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
80 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N5410拓展信息
Microchip Technology
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