Microchip Technology 2N5416U4

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

U4

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

15 at 1mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

120 at 50 mA, 10 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5416U4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.27

系列

Military, MIL-PRF-19500/485

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Tray

JESD-609代码

e4

无铅代码

无

端子表面处理

镍镀金

子类别

Transistors

技术

Si

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

配置

Single

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

350 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT