Microchip Technology 2N5427

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700 mV

Maximum DC Collector Current

7 A

Pd - Power Dissipation

40 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

7 A

Base Product Number

2N5427

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-

系列

-

最大功率耗散

40 W

配置

Single

功率 - 最大

40 W

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

7 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 7A, 80V

最大集极截止电流

-

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

辐射硬化

无