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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4257.300102
10
¥4016.32085
100
¥3788.981936
500
¥3574.511262
1000
¥3372.180437
Microchip Technology 2N5584
- 收藏
- 对比
2N5584
1610-2N5584
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-211MB, TO-63-4, Stud
大陆
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POWER BJT
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¥
总价: ¥
2N5584详情
Microchip Technology 2N5584重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-211MB, TO-63-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-63
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
30 A
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
30 MHz
Manufacturer Part Number
2N5584
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Solitron Devices Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SOLITRON DEVICES INC
Risk Rank
5.5
Transistor Polarity
NPN
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
175 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-63
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 2mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
180 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
100 W
集电极电流-最大值(IC)
30 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
180 V
VCEsat-最大值
0.5 V
环境耗散-最大值
100 W
2N5584拓展信息
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