Microchip Technology 2N5630
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2N5630
1610-2N5630
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-204AA, TO-3
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POWER BJT
1最小包装量--
2N5630详情
Microchip Technology 2N5630重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-204AD (TO-3)
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
16 A
Transistor Polarity
NPN
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N5630
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
8.08
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
功率 - 最大
200 W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-3
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
120 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
16 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
120 V
2N5630拓展信息
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