Microchip Technology 2N5665

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

300 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Maximum DC Collector Current

5 A

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.652216 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5665

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-66, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

20 MHz

Manufacturer Part Number

2N5665

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.09

Part Package Code

TO-66

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

2.5 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

200nA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

400 V

最大耗散功率(Abs)

30 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

300 V