Microchip Technology 2N5678
- 收藏
- 对比
2N5678
1610-2N5678
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-211MB, TO-63-4, Stud
大陆
立即发货

POWER BJT
1最小包装量--
2N5678详情
Microchip Technology 2N5678重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-211MB, TO-63-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-63
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
10 A
Transistor Polarity
PNP
Package Description
POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N5678
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.35
系列
-
操作温度
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
功率 - 最大
175 W
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-63
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益(hFE)
25
集电极-发射器电压-最大值
100 V
2N5678拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。