Microchip Technology 2N5682e3

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

120 V

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

DC Current Gain hFE Max

150

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Manufacturer Part Number

2N5682E3

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.16

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

Single

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 250mA, 2V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-5

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

频率转换

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

120 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

5

连续集电极电流

1 A

集电极-发射器电压-最大值

120 V