Microchip Technology 2N5782

包装/外壳

TO-39-3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Gain Bandwidth Product fT

8 MHz

DC Collector/Base Gain hfe Min

20

DC Current Gain hFE Max

100

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

2N5782

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N5782

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.38

包装

Bulk

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-5

集电极基极电压(VCBO)

65 V

集电极电流-最大值(IC)

3.5 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

50 V