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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4042.468451
10
¥3813.649479
100
¥3597.782528
500
¥3394.13446
1000
¥3202.013643
Microchip Technology 2N5957
- 收藏
- 对比
2N5957
1610-2N5957
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
大陆
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POWER BJT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N5957详情
Microchip Technology 2N5957重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
底架
Stud
表面安装
NO
引脚数
3
供应商器件包装
TO-61
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
20 A
Package
Bulk
Transistor Polarity
NPN
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Compliant
Package Description
TO-61, 3 PIN
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
10 MHz
Manufacturer Part Number
2N5957
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TT ELECTRONICS PLC
Risk Rank
5.35
操作温度
-
系列
-
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
最大功率耗散
175 W
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
175 W
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
最大集电极电流
20 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-61
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
20 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
100 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
辐射硬化
无
2N5957拓展信息
Microchip Technology
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