Microchip Technology 2N6190

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-5AA

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Product Status

活跃

Package

Bulk

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Manufacturer Part Number

2N6190

Turn-on Time-Max (ton)

200 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Turn-off Time-Max (toff)

2200 ns

Risk Rank

5.35

Part Package Code

TO-39

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

10 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

30 MHz

Maximum DC Collector Current

5 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

系列

-

操作温度

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

10 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

80 V

VCEsat-最大值

1.2 V

集电极-基极电容-最大值

300 pF

产品类别

Bipolar Transistors - BJT