Microchip Technology 2N6213

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Transistor Polarity

NPN

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N6213

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-66, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N6213

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.15

Part Package Code

TO-66

包装

Tray

操作温度

-55°C ~ 200°C

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

3 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

3 W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

350 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

5mA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 125mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

400 V

最大耗散功率(Abs)

35 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

2

集电极-发射器电压-最大值

350 V