Microchip Technology 2N6378

包装/外壳

TO-3-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

DC Current Gain hFE Max

120

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Gain Bandwidth Product fT

-

Pd - Power Dissipation

250 W

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Transistor Polarity

PNP

Mounting Styles

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N6378

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.69

Part Package Code

TO-204AA

包装

Tray

操作温度

-

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

250 W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

集电极电流-最大值(IC)

50 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

- 50 A

集电极-发射器电压-最大值

100 V