Microchip Technology 2N6691
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2N6691
1610-2N6691
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
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POWER BJT
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2N6691详情
Microchip Technology 2N6691重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-61
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
15 A
Transistor Polarity
NPN
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N6691
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.35
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MUPM-X3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
3 W
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
15 @ 1A, 3V
最大集极截止电流
100μA
JEDEC-95代码
TO-61
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 3A, 15A
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
15 A
最小直流增益(hFE)
8
集电极-发射器电压-最大值
300 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N6691拓展信息
Microchip Technology
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