Microchip Technology 2N697

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5AA

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Pd - Power Dissipation

600 mW

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40 at 150mA, 10 VDC

DC Current Gain hFE Max

120 at 150 mA, 10 VDC

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

1 oz

Package

Bulk

Base Product Number

2N697

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Package Description

TO-5, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N697

Turn-on Time-Max (ton)

200 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1000 ns

Risk Rank

5.15

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

600 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/99E

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

600 mW

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

600 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

最小直流增益（hFE）

40