Microchip Technology 2N7368

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-254-3, TO-254AA

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-254AA

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Product Status

活跃

Package

Bulk

RoHS

Compliant

Transistor Polarity

NPN

Package Description

TO-254, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N7368

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.35

Part Package Code

TO-254AA

系列

-

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

115 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

115 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

10 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-254AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

115 W

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

80 V

辐射硬化

无