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'2n912'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

系列

JESD-609代码

无铅代码

端子表面处理

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

JESD-30代码

资历状况

配置

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

产品类别

晶体管类型

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

最大集极截止电流

JEDEC-95代码

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

最大耗散功率(Abs)

最小直流增益(hFE)

集电极-发射器电压-最大值

产品类别

2N912
2N912
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

NO

TO-18 (TO-206AA)

3

SILICON

Bulk

活跃

NPN

1

Microchip

微芯片技术

微芯片技术

CYLINDRICAL

METAL

未说明

200 °C

无

40 MHz

2N912

ROUND

1

活跃

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

5.4

-65°C ~ 200°C (TJ)

-

e0

无

Tin/Lead (Sn/Pb)

Transistors

Si

BOTTOM

WIRE

未说明

unknown

O-MBCY-W3

不合格

SINGLE

800 mW

SWITCHING

NPN

BJTs - Bipolar Transistors

NPN

-

-

TO-18

1V @ 5mA, 50mA

60 V

40MHz

0.5 W

15

60 V

Bipolar Transistors - BJT