Microchip Technology 2N930

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Maximum DC Collector Current

30 mA

Pd - Power Dissipation

300 mW

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.052399 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N930

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

Number of Elements

1

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

300 mW

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

300 mW

功率 - 最大

300 mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

30 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10µA, 5V

最大集极截止电流

2nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

连续集电极电流

30

辐射硬化

无