对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 包装 | 已出版 | 系列 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 额定电流 | JESD-30代码 | 配置 | 通道数量 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | APT8052BFLLG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 5 Weeks | 通孔 | 通孔 | TO-247-3 | 15A Tc | 1 | 23 ns | 5V @ 1mA | Tube | 1997 | POWER MOS 7® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 800V | 298W | 15A | 298W | 9 ns | N-Channel | 520m Ω @ 7.5A, 10V | 2035pF @ 25V | 75nC @ 10V | 6ns | 7 ns | 15A | 30V | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT8052BFLLG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-247-3 | NO | TO-247 [B] | 3 | SILICON | Details | 通孔 | N-Channel | 800 V | 15 A | 520 mOhms | - 30 V, + 30 V | 3 V | 75 nC | 微芯片技术 | - 55 C | + 150 C | 298 W | Enhancement | 1 | 0.211644 oz | Tube | APT8052 | 15A (Tc) | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 150 °C | APT8052BFLLG | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 2.09 | 15 A | 5V @ 1mA | Tube | POWER MOS 7® | SINGLE | THROUGH-HOLE | R-PSFM-T3 | Single | 1 Channel | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 520mOhm @ 7.5A, 10V | 2035 pF @ 25 V | 75 nC @ 10 V | 800 V | N-CHANNEL | TO-247 | 15 A | 0.52 Ω | 60 A | 800 V | 1210 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 298 W | - | 60 pF | unknown |



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