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'jan1n4476us'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

二极管元件材料

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

容差

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

附加功能

HTS代码

子类别

端子位置

终端形式

Reach合规守则

基本部件号

参考标准

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

元素配置

二极管类型

反向泄漏电流@ Vr

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

箱体转运

功率 - 最大

最大反向漏电电流

阻抗-最大

测试电流

参考电压

电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

齐纳电压

产品类别

最大电压允差

工作测试电流

电压允差

齐纳电流

动态阻抗-最大值

Vf-正向电压

产品类别

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

JAN1N4476US
JAN1N4476US
Microchip Technology 数据表

43 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SQ-MELF, A

D-5A

微芯片技术

活跃

20 Ohms

1N4476

通孔

Bulk

-65°C ~ 175°C

Military, MIL-PRF-19500/406

±5%

50 nA @ 24 V

1 V @ 200 mA

1.5 W

30 V

JAN1N4476US
JAN1N4476US
Semtech Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

22 Weeks

YES

2

SILICON

1

175°C

1.5W

活跃

2

EAR99

8541.10.00.50

END

环绕

unknown

1N4476

MIL-19500/406

O-LELF-R2

Qualified

UNIDIRECTIONAL

SINGLE

泽纳电极

ISOLATED

30V

5%

8.5mA

20Ohm

JAN1N4476US
JAN1N4476US
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

表面贴装

SQ-MELF, A

2

SILICON

1.5W

1

-65°C~175°C

Bulk

1999

Military, MIL-PRF-19500/406

±5%

e0

no

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

冶金结合

8541.10.00.50

END

环绕

MIL-19500

Qualified

UNIDIRECTIONAL

Single

泽纳电极

50nA @ 24V

1V @ 200mA

ISOLATED

50nA

20Ohm

30V

30V

5%

8.5mA

5%

无

Non-RoHS Compliant

JAN1N4476US/TR
JAN1N4476US/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SQ-MELF, A

D-5A

Tape & Reel (TR)

活跃

20 Ohms

0.05 uA

20 Ohms

0.05 uA

1.5 W

+ 175 C

0.006808 oz

微芯片技术

- 65 C

100

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

200 mA

30 V

N

-65°C ~ 175°C

Reel

Military, MIL-PRF-19500/406

±5%

Diodes & Rectifiers

Single

50 nA @ 24 V

1 V @ 200 mA

1.5 W

8.5 mA

30 V

齐纳二极管

5 %

48 mA

1 V

齐纳二极管

2.62 mm

5.08 mm

2.62 mm