Microchip Technology JAN2N3810U/TR

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

供应商器件包装

TO-78-6

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100 at 10 uA, 5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

50 mA

DC Current Gain hFE Max

450 at 100 uA, 5 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/336

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Dual

功率 - 最大

350mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 100μA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT