Microchip Technology JAN2N6052

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-3

安装类型

通孔

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3 (TO-204AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

12 A

Product Status

活跃

Base Product Number

2N6052

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

Number of Elements

1

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N6052

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-3

系列

Military, MIL-PRF-19500/501

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/501C

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

PNP

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

150 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 120mA, 12A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

12 A

最小直流增益（hFE）

150

集电极-发射器电压-最大值

100 V

产品类别

达林顿晶体管