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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥379.025584
10
¥357.571312
100
¥337.331424
500
¥318.237196
1000
¥300.22377
Microchip Technology JAN2N6058
- 收藏
- 对比
JAN2N6058
1610-JAN2N6058
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-3
大陆
立即发货

TRANS NPN DARL 80V 12A TO3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
JAN2N6058详情
Microchip Technology JAN2N6058重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
TO-3
安装类型
通孔
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
供应商器件包装
TO-3 (TO-204AA)
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
12 A
Product Status
活跃
Base Product Number
2N6058
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Collector-Emitter Saturation Voltage
3 V
Number of Elements
1
系列
Military, MIL-PRF-19500/502
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tray
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
Transistors
极性
NPN
元素配置
Single
功率 - 最大
150 W
产品类别
达林顿晶体管
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 6A, 3V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 120mA, 12A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
80 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
产品类别
达林顿晶体管
JAN2N6058拓展信息
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