Microchip Technology JAN2N918UB/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Non-Standard

厂商

微芯片技术

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

50 mA

Emitter- Base Voltage VEBO

3 V

Pd - Power Dissipation

200 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10 at 500 uA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

50 mA

DC Current Gain hFE Max

200 at 3 mA, 1 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

15 V

系列

Military, MIL-PRF-19500/301

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

200 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

最大集极截止电流

1μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

30 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT