Microchip Technology JANS1N6130A

包装/外壳

SQ-MELF-2

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

95 V

Pd - Power Dissipation

3 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

3.6 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANS1N6130A

Power Dissipation (Max)

3 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

100 V

Risk Rank

5.84

系列

-

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

工作电压

76 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

箝位电压

144.48 V

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

76 V

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

95 V

最大箝位电压

138 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes